ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD保护和出色的散热性能，方便安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。

特性

》650V E模式GaN FET

(相关资料图)

》低导通电阻

》高速开关

》内置ESD保护

》高度可靠的设计

》帮助减少电源转换效率和尺寸

》出色的散热性能

》符合RoHS标准

应用

》高开关频率转换器

》高密度转换器

规范

》GNP1070TC-Z

》DFN8080K封装类型

》连续漏极电流范围：7.3A至20A

》脉冲漏极电流范围：24A至66A

》漏源电压：650V

》瞬态漏源电压：750V

》栅源电压范围：-10VDC 至+6VDC

》瞬态栅源电压：8.5V

》+25℃时功耗：56W

》栅极输入电阻：0.86Ω(典型值)

》输入电容：200pF(典型值)

》输出电容：50pF(典型值)

》输出电荷：44nC

》总栅极电荷：5.2nC(典型值)

》典型接通延迟时间：5.9ns

》典型上升时间：6.9ns

》典型关闭延迟时间：8.0ns

》典型下降时间：8.7ns

》GNP1150TCA-Z

》DFN8080AK封装样式

》连续漏极电流范围：5A至11A

》脉冲漏极电流范围：17A至35A

》漏源电压：650V

》瞬态漏源电压：750V

》栅源电压范围：-10VDC 至+6VDC

》瞬态栅源电压：8.5V

》+25℃时功耗：62.5W

》栅极输入电阻：2.6Ω(典型值)

》输入电容：112pF(典型值)

》输出电容：19pF(典型值)

》输出电荷：18.5nC

》典型总栅极电荷：2.7nC

》典型接通延迟时间：4.7ns

》典型上升时间：5.3ns

》典型关闭延迟时间：6.2ns

》典型下降时间：8.3ns

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